2T PEROVSKIT-SILIZIUM-TANDEM

Ein Strahl.Energie, vielschichtig.

Monolithische Integration. Zwei Übergänge im Einklang. Entwickelt für die nächste Generation der Photovoltaik mit hoher Leistungsdichte.

Antireflexionsschicht
Transparente Elektrode
Perowskit-OberzelleAbsorption mit großer Bandlücke
Rekombinationskontakt
Untere Zelle aus SiliziumNahinfrarot-Reaktion

MONOLITHISCHE ANSICHTEXPLODIERTE SCHICHTENANSICHT

Breitere spektrale NutzungGeringere ThermalisierungsverlusteMehr Leistung pro Quadratmeter

Drei Dinge, die Sie wissen sollten.

Entdecken Sie die Technologie

01

Monolithische 2T-Architektur

Die oberen und unteren Zellen sind mit nur zwei Außenanschlüssen monolithisch in Reihe geschaltet – eine kompaktere Struktur mit einem klareren Verkapselungspfad.

02

Teilen Sie das Spektrum

Hochenergetische Photonen gelangen zum Perowskit mit großer Bandlücke, während Silizium weiterhin Licht im nahen Infrarot einfängt. Jedes Photon trifft auf den für es passenden Absorber.

03

Gebaut für Leistungsdichte

Mehr Leistung aus der gleichen beleuchteten Fläche eröffnet Mehrwert für Dächer, mobile Energie und andere platzbeschränkte Anwendungen.

FIRMENFILM

Aus dem Labor.In die Produktion.

Treten Sie ein in die Tandem-Forschung, -Entwicklung und -Fertigung, wo Materialien, Geräte und nanoskalige Prozesse zusammenkommen, um die Photovoltaik der nächsten Generation voranzutreiben.

2T-ARCHITEKTUR

Zwei Absorber.
Ein Strompfad.

Die Perowskit-Oberzelle und die Silizium-Unterzelle sind über einen Rekombinationsübergang in Reihe geschaltet. Kein externer Spektralteiler. Keine Verkabelung mit vier Anschlüssen. Die Komplexität bleibt innerhalb der Mikrostruktur, wodurch Module und Systeme elegant einfach bleiben.

NANOSKALISCHER PROZESS

Nanoskaliger Prozess

Kritische Funktionsschichten können bis zu 1 nm dünn sein. Die präzise Kontrolle von Schichtdicke und Grenzflächen bringt optische Leistung, elektrische Leistung und Stabilität auf kleinster Skala in Einklang.

Mikroskopischer Querschnitt, der eine ultradünne Funktionsschicht zwischen zwei Halbleitermaterialien zeigt
MINDESTFUNKTION 1nm

01 / OPTISCHER EINTRITT

Lassen Sie mehr Licht herein, anstatt es wegzureflektieren.

Antireflexions- und transparente leitende Schichten sorgen gemeinsam für einen verlustarmen Eintritt für kurzwelliges Licht bei gleichzeitigem Erhalt des seitlichen Trägertransports.

SPEKTRUMMANAGEMENT

Nicht nur mehr Absorption.
Intelligentere Absorption.

Eine Single-Junction-Siliziumzelle muss das gesamte Sonnenspektrum alleine bewältigen. Ein 2T-Tandem weist jeder Bandlücke die Arbeit zu, die sie am besten leistet – sie reduziert Thermalisierungsverluste durch hochenergetische Photonen und bewahrt gleichzeitig die Reaktion des Siliziums auf langwelliges Licht.

TOP-ZELLE≈ 1,68 eVPerowskit mit großer Bandlücke
UNTERE ZELLE1,12 eVKristallines Silizium

LEISTUNGSWEG

30%+

Ein Designziel auf Systemebene für hocheffiziente Module.

Die Zielwerte variieren je nach aktiver Fläche, Bauelementarchitektur, Materialsystem und Prüfbedingungen unabhängiger Institute.

ZWEI ÜBERGÄNGESerienspannungsverstärkung

Die Spannungen der Unterzellen addieren sich, während die Stromanpassung die Gesamtleistung bestimmt.

MONOFAZIALZwei Terminals

Behält die bekannte Modulverbindungslogik bei und reduziert die Komplexität der Systemintegration.

DAS ZIELHohe Flächenleistung

Mehr Leistung pro Quadratmeter für platzbegrenzte, hochwertige Energieanwendungen.

ZUVERLÄSSIGKEIT

Laborleistung
muss sich unter realen Bedingungen bewähren.

Effizienz ist nur der Anfang. Grenzflächenstabilität, Ionenmigration, Einkapselungsbarrieren und thermomechanische Anpassung bestimmen zusammen, wie weit ein Tandemgerät gehen kann.

Dreidimensionale 2T-Perowskit-Silizium-Tandemstruktur unter Beleuchtung

VON DER SCHICHT ZUM BAUELEMENT

Stabilität beginnt an der Schnittstelle.

Mikrostruktur, Schichtgleichmäßigkeit und Strom-Spannungs-Kennlinie liefern gemeinsam die Grundlage für die Bauelementdiagnostik.

TC

Temperaturwechselprüfung

Verfolgt Dehnungsunterschiede zwischen den Schichten, Grenzflächenspannung und Drift der elektrischen Leistung.

DH

Feuchte-Wärme-Prüfung

Bewertet Verkapselungsbarrieren, Ionenmigration und die langfristige Beständigkeit gegenüber Feuchtigkeit und Sauerstoff.

UV

UV-Alterung

Bewertet die photochemische Haltbarkeit von Absorbern und Grenzflächenmaterialien mit großer Bandlücke.

ML

Mechanische Belastung

Deckt Transport, Installation, Wind- und Schneelasten sowie Modulverformung ab.

ANWENDUNGEN

Jeder Quadratmeter
wird wertvoller.

DACH / BIPV

Mehr Energie aus begrenzter Dachfläche.

Wenn die verfügbare Fläche und nicht die Modulkosten der begrenzende Faktor ist, wird die Leistung pro Quadratmeter zu einer zentralen Quelle des Systemwerts.

MOBILE ENERGIE

Mehr Leistung bei geringerer Masse. Größere Reichweite.

Konzipiert für Fahrzeugdächer, tragbare Geräte und netzunabhängige Systeme mit begrenzter nutzbarer Fläche.

GROßE HÖHE / RAUM

Die spezifische Leistung steigern.

Dünnere Zellen, geringere Masse und breitere spektrale Nutzung für Energiesysteme in großen Höhen und im Weltraum.

WARUM UPGRADE?

Die gleiche Sonne.
Eine andere Antwort.

VergleichskriteriumSingle-Junction-Silizium2T Perowskit / Silizium
Spektrale NutzungEine BandlückeZwei Bandlücken im Zusammenspiel
Elektrischer AnschlussSingle-Junction-AusgangIn Reihe geschaltete Unterzellen, Ausgang mit zwei Anschlüssen
KernwertAusgereift, stabil und skalierbarHöhere Effizienz und größeres Flächenleistungspotenzial
SchlüsselherausforderungKontinuierliche Kosten- und EffizienzverbesserungStromanpassung, Schnittstellen und Langzeitstabilität

PV der NÄCHSTEN GENERATION

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